lunes, 11 de mayo de 2026 16:18

Economía

Constituido el patronato de InnoFAB, dedicada al desarrollo de semiconductores en Cataluña

Supondrá una inversión de cerca de 400 millones de euros y se ubicará en el Parc de l'Alba de Barcelona
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Los consellers de Presidencia, Albert Dalmau; de Economía y Finanzas, Alícia Romero; de Empresa y Trabajo, Miquel Sàmper, y de Investigación y Universidades, Núria Montserrat.

Supondrá una inversión de cerca de 400 millones de euros y se ubicará en el Parc de l'Alba de Barcelona

La Generalitat ha constituido este lunes el patronato de la Fundació InnoFAB, la entidad sin ánimo de lucro adscrita a la Conselleria de Investigación y Universidades de la Generalitat que tiene la misión de poner en marcha la nueva infraestructura dedicada al prototipado de semiconductores avanzados de Catalunya.

El proyecto supondrá una inversión de cerca de 400 millones de euros, se ubicará en el Parc de l'Alba de Barcelona, junto al Sincrotró, y permitirá generar talento, emprendedores y 'start-ups' de alta tecnología, así como pequeñas y medianas empresas del ámbito de las micro y nanotecnologías, informa el Govern en un comunicado.

El patronato está integrado por los consellers de Presidencia, Albert Dalmau; de Economía y Finanzas, Alícia Romero; de Empresa y Trabajo, Miquel Sàmper, y de Investigación y Universidades, Núria Montserrat.

El organigrama estará encabezado por una comisión ejecutiva con cinco patrones designados por el patronato, además de figuras encargadas de la dirección y gerencia, y se creará un consejo asesor formado por investigadores de reconocido prestigio y competencia.

UNA "PIEZA CLAVE"
InnoFAB se convertirá en una "pieza clave" del sistema catalán de conocimiento como primer centro de desarrollo y prototipado de micro y nanotecnologías basadas en semiconductores avanzados de Catalunya, con un proyecto técnico liderado hasta ahora por el ICN2, y supondrá una inversión prevista de cerca de 400 millones de euros, que contará con financiación europea a través de los fondos NextGenerationEU.

El nuevo centro dispondrá de una sala blanca de 2.000 metros cuadrados en la que se fabricarán prototipos y pequeñas series de semiconductores avanzados con aplicación en ámbitos estratégicos como la electrónica, la salud o la energía, y contará con tres edificios más: el FAB, otro de oficinas y laboratorios y un auxiliar de servicios, que en total representan una superficie construida de cerca de 22.000 metros cuadrados.

El Govern explica que su actividad se focalizará principalmente en Catalunya, pero el alcance de sus colaboraciones y su impacto será de escala nacional, europea e internacional, ya que el objetivo es cubrir todo el proceso 'Lab-to-Fab' y permitir que las innovaciones desarrolladas en los laboratorios se conviertan en productos industriales.

Además, se prevé que genere 200 puestos de trabajo directos y se convierta en un referente en el sector de los semiconductores. InnoFAB forma parte del Trident Innovador que prevé el Pla Catalunya Lidera para consolidar Catalunya como un referente europeo en innovación tecnológica e industrial, con especial énfasis en el sector de los semiconductores.

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